Карлащук В. И. Электронная лаборатория на IBM PC / Приборы
нетрадиционной медицины
6.5. Измерение
частоты, фазы и мощности
Если на участке цепи (двухполюснике)
протекает ток i = Iмsin(wt + j) и создает на нем падение напряжения u = Uмsinwt, то на этом участке мгновенное значение мощности р
= IмUм×sinwt×sin(wt + j). Используя формулы преобразования тригонометрических
функций из школьного курса математики и учитывая, что действующее значение тока
I = Iм/21/2
и напряжения U = Uм/21/2,
получаем:
р = IмUм[sinwt(sinwt×cosj + coswt×sinj) = IмUм(sin2wt×cosj + sinwt×coswt×sinj) = IмUм[0,5cosj + 0,5(sin2wt×sinj – cos2wt×cosj) = I×U[cosj + (sin2wt×sinj – cos2wt×cosj)] = S[cosj – cos(2wt + j)], (6.13)
где S = I×U — полная мощность.
Из (6.13) видно, что мощность состоит из
двух составляющих: постоянной S×cosj и переменной S×cos(2wt + j), пульсирующей с удвоенной частотой. Первая
составляющая определяет активную мощность, а вторая — реактивную, которая
тратится на заряд, например, индуктивности в первую четверть периода с
последующим ее разрядом за вторую четверть периода (она отдает энергию
источнику, но не полезной нагрузке) и повторением такого процесса в последующие
две четверти периода. Этим и объясняется то, что реактивная составляющая
мощности пульсирует с удвоенной частотой. Если взять интеграл от выражения
(6.13) с пределами интегрирования 0—Т = 2p/w, то увидим, что первая составляющая даст среднее
значение мощности S×cosj , а вторая — нуль, что и определяет ее
бесполезность.
Второй подход при определении мощности заключается в
использовании комплексных действующих значений токов и напряжений, которые
вычисляются обычным способом: делением комплексной амплитуды на корень из двух.
В этом случае мощность, выделяемая на участке цепи с комплексным сопротивлением
Z, может быть определена как
(6.14)
где — комплексно сопряженная величина тока.
Если, например, комплексный ток равен Iej(wt + j), то его комплексно сопряженной величиной будет Ie– j(wt + j), а их
произведение действительно будет равно I2. Таким образом комплексная
мощность может быть определена как:
P = UмejwtIмe–j(wt+j) = Uie–jj = UI×cosj – jUI×sinj. (6.15)
Поскольку cos2j + sin2j = 1,
то модуль комплексной мощности равен полной мощности S = IU. Первое
слагаемое выражения (6.15)
Р
= UI×cosj (6.16)
совпадает
с первым слагаемым выражения (6.14) и называется активной мощностью; второе слагаемое выражения (6.15) называется реактивной мощностью
Q = UI×sinj (6.17)
и в таком
виде используется при расчетах. При этом величины P, Q и S образуют так называемый треугольник мощности и связаны
между собой соотношением [50]:
S = (P2 + Q2)1/2. (6.18)
1. 6-8-5.ca4,
6-8-5а.ca4 — схемы для исследования частотных зависимостей входного
сопротивления линии связи в режиме холостого хода и короткого замыкания.
2. 7-7-1.ca4 — усилитель с АРУ.
3. 8-12-1.ca4, 8-12-2.ca4, 8-12-3.ca4 —
низковольтные источники опорного напряжения.
4. 8-12-4.ca4, 8-12-5.ca4, 8-12-6.ca4 —
стабилизаторы тока и напряжения.
5. 8-13-1.ca4 —
умножитель парафазных сигналов.
6. 8-13-2.ca4 —
формирователь парафазных сигналов.
7. 8-12-3.ca4 — квадратор сигналов.
Приложение
1.2. Программа Multisim 10
Основные отличия Multisim 10 от
предыдущих версий (см. том 1) заключаются в следующем:
1. Библиотека компонентов
1.1. Библиотека Basic дополнена виртуальными 3D-компонентами для демонстрации пространственного
изображения печатных плат с этими компонентами, а также виртуальными Rated-компонентами для демонстрации их предельных
эксплуатационных параметров, при превышении которых испытуемый элемент
разрушается. Процесс разрушения представляется анимационной картинкой,
длительность «развертки» которой определяется параметром Animation
Delay Factor в диалоговом
окне элемента. В этом же окне задается значение контролируемого параметра.
Например, для резистора это допустимая рассеиваемая мощность, для биполярного
транзистора — максимальные напряжения коллектор-эмиттер, коллектор-база,
база-эмиттер и максимальный ток коллектора. Разрушение резистора сопровождается
покраснением его графического значка с последующим «выгоранием» средней части;
«сгоревший» транзистор стягивается в точку с «торчащими» из нее выводами базы,
коллектора и эмиттера.
1.2. Place
MCU Module — раздел, включающий микроконтроллеры (MCU) 8051/8052 и PIC16F84/16F84A,
микросхемы ОЗУ серии HM1 и ПЗУ серии 27C (см. п. 2.10).
1.3. Advanced_Peripherals — раздел, включающий ряд периферийных устройств (многоточечные
светодиодные матрицы, LCD-дисплеи,
цифровые клавиатуры, светофор, производственная система перекачки жидкости и
др.), предназначенных для работы с модулем MCU и демонстрационных примеров использования микроконтроллеров.
Компонентная база Multisim 10 дополнена новыми моделями изделий компаний Analog
Devices, Texas Instruments
и Linear Technologies (около 1000 моделей), а
также SPICE-моделями элементов источников питания типа Buck,
Boost, Buck-Boost
(см. разд. 2.13), заимствованными разработчиками из монографии «Switch-Mode
Power Supply SPICE
Cookbook» Христофора Бассо (Christophe Basso).
Следует отметить также следующие усовершенствования элементной базы:
— унификация графического обозначения мультисекционных логических элементов и триггеров;
— улучшение
модели нелинейной индуктивности;
— возможностъ изменения
значения параметров пассивных компонентов (резисторов, конденсаторов или
катушек индуктивности) непосредственно в схеме, минуя диалоговое окно базы
данных по этим компонентам, что позволяет более оперативно составлять схемы
моделей;
— расширенные возможности использования SPICE-моделей
путем объединения их в субблоки и поддержка системы
параметров BSIM 4 для МОП
транзисторов с 4-мя выводами (около 400 параметров, подробности на сайте
http://www.device.eecs.berkeley.edu/~bsim3/bsim4.html).
2. Система
меню
2.1. Меню Simulate
дополнено командой Temperature Sweep Analysis для определения зависимости параметров моделируемой
схемы от температуры на постоянном токе (DC Operating Point), во временной (Transient Analysis) и частотной (AC Frequency Analysis) области. В диалоговом окне команды ,
аналогичном по виду одноименной команде EWB 5.xx (см. разд.
1.6), задается начальная и конечная температура, количество промежуточных точек
или ее приращения, а также контролируемый параметр схемы, например, выходное
напряжение. Как указано в справочной системе, температурным испытаниям могут
быть подвергнуты схемы с резисторами, диодами, светодиодами, биполярными и
полевыми транзисторами. В рассматриваемой версии программы (10.0.144) доступным
для таких испытаний оказался только резистор, температурная
зависисимость сопротивления которого определяется по
формуле:
R = Ro×{1 + TC1×(T – To) + TC2×[(T – To)^2]},
где: Ro —
сопротивление резистора при номинальной температуре To = 27°С; TC1, ТС2 — первый и второй температурные коэффициенты; Т
— текущее значение температуры.
Приведенные значения параметров задаются
непосредственно в диалоговом окне свойств резистора, т. е. наличие подобных
параметров в окне свойств того или иного компонента означает, что он может быть подвергнут температурным испытаниям.
2.2. Меню Transfer
дополнено командой Highlight Selection in Ultiboard
— селективный отбор данных, поступающих из Multisim в Ultiboard, из условия очередности их использования в Ultiboard. В Multisim 10 предусмотрен экспорт данных в графическую систему
проектирования PADS, а также усовершенствованный интерполяционный метод
экспорта данных в LVM- или TDM-формат программы NI LabVIEW
с использованием форсированного режима, линейной или сплайн-интерполяции (метод
плавных кривых).
2.3. Меню MCU — предназначено для организации
программирования (на Ассемблере или СИ) и моделирования микроконтроллеров (MCU)
8051/8052 и PIC16F84/16F84A в сочетании
с микросхемами ОЗУ серии HM1 и ПЗУ серии 27C. В меню предусмотрены команды вызова
файл-менеджера (MCU Module File
Management), модуля подготовки и компиляции кода (MCU
Module Code Manager), просмотрщика и
редактора кода (MCU Module Source
Code Files ) и дизассемблера (MCU Module Debugging)
3.
Контрольно-измерительные приборы:
3.1. Measurement Probe — в линейку приборов введен дополнительно
пробник Current probe —
аналог обычного зажима (щупа), одиночный выход которого может подключаться ко
входу осциллографа, мультиметра и других
измерительным приборов; подключается к исследуемой точке схемы путем
перетаскивания курсором мыши его «измерительной» головки в заданную точку, что
несколько удобнее «контактного» соединения. В сочетании с осциллографом такой
пробник позволяет измерять ток и напряжение в выбранной точке
и их отношение (параметр Ratio of Voltage to Current (В/мА) в диалоговом окне). При этом измерение
напряжения производится осциллографом обычным способом (установкой визирной
линейки в заданную точку осциллограммы), а ток рассчитывается с использованием
указанного параметра.
К новациям Multisim 10 относятся также:
1. Использование курсора мыши для изменения параметров
элементов схемы в процессе моделирования. Например, при установке
курсора на переменном резисторе рядом с ним возникает ползунковый регулятор для
изменения его сопротивления.
2. Введение помощника по настройке системы (Convergence Assistant) при
ошибке типа Time Step Too Small,
вызываемой неудовлетворительной сходимостью при моделировании; позволяет
минимизировать количество настроек таких параметров как TMAX, RELTOL, RSHUNT и др. (см. разд. 1.6), которые ранее выполнялись
вручную.
3. Усовершенствование
измерителя вольтамперных характеристик (ВАХ), выражающееся в возможности
снятия ВАХ биполярных и полевых транзисторов.
4. Усовершенствование визуализации результатов
моделирования за счет:
— установления связи между отдельными статическими
пробниками с помощью указателей ссылок;
— возможности выбора для запоминания полученных в
результате моделирования данных в графическом виде (см. разд. 1.6);
— отображения на графическом дисплее результатов
моделирования начальных условий для исследуемой схемы (напряжение на
конденсаторе или ток, протекающий через катушку индуктивности перед началом
моделирования).
5. Расширение возможностей анализа результатов
моделирования путем:
avg(X) — выбора
функции усреднения искомого вектора X по
среднему числу замеров (расчетных точек);
avg(X, d) — то же, но относительно значения заданного вектора d;
envmax(X, n) — выбора функции усреднения искомого вектора X по количеству расчетных точек n в области
отсчетов, где его значения больше максимального;
envmin(X, n) — то же, но в области отсчетов вектора Х, где его
значения меньше минимального;
grpdelay(X) — определения групповой задержки вектора Х, сек;
rms(X) — определения среднеквадратического значения (RMS)
вектора Х;
integral(X) — определения
среднего значения вектора X;
sgn(X) — определения
знака вектора Х (значение sgn(X) = –1
соответствует отрицательному значению, 0 — нулевому, 1 — положительному).
6. Повышение скорости и качества разводки печатной
платы в среде пакета NI Ultiboard 10.0.
7. Поддержка системы Unicode
и менеджера инсталляции и лицензирования компании NI (National
Instruments).
8. Повышение скорости и качества разводки печатной
платы в среде пакета NI Ultiboard 10.0.
Лиература 1
12.
Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. М.: Сов. радио, 1980,
423 с.
14.
Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник/ Под
ред. Н. Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1985, 902 с.
23. Щербаков В.
И., Грездов Г. И. Электронные схемы на операционных
усилителях. Справочник. Киев: Технiка,
1983, 213 с.
30. Горошков Б.
И. Радиоэлектронные устройства. Справочник. М.: Радио и связь, 1984, 399 с.
58.
Асеев Б. П. Колебательные цепи. М.: Гос. изд-во
литературы по вопросам связи и радио, 1955, 462 с.
105. Белецкий А. Ф. Основы
теории линейных электрических цепей. М.: Связь, 1967, 608 с.